軟啟動器中可控硅是比較具有重要的一環(huán)，所以我們保護好可控硅能夠得到大大的延長軟啟動器的使用網(wǎng)絡壽命。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導體器件。整流橋將整流管封在一個殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點。在自動控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動器件，實現(xiàn)用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了廣泛的應用。

與其他電源設備一樣，可控硅由于其自身的功耗而很熱。如果不采取適當?shù)拇胧﹣磲尫胚@些熱量，模塊芯的PN結(jié)溫度將急劇上升。設備功能似乎會惡化，直到完全損壞。

晶閘管的功耗主要由導通損耗、開關損耗和柵極損耗組成。 傳導損耗在功率頻率或低于400Hz的頻率下的應用中占主導地位。

常用散熱器: 自然風冷卻、強迫風冷卻、熱管冷卻、水冷卻、油冷卻等。

正常工作情況的軟啟動器設備有3.5-4%的功率損耗，主要以熱量的形式散失在環(huán)境當中，所以我們要先解決軟啟動器工作環(huán)境的溫度問題，若工作環(huán)境的溫度過高則將危害到軟啟動器的工作，導致軟啟動器過熱保護跳閘。保證軟起動器具有良好的運行環(huán)境，須對變頻器及運行環(huán)境的溫度控制采取相應的措施。

給軟啟動器預留發(fā)展一定的空間，定期給軟啟動器進行清灰系統(tǒng)處理，都是我們能夠得到有效方法降低可控硅溫度的方式。

以上就是硅冷卻的重要性，我希望能幫助你。