晶閘管智能運(yùn)行脈沖系統(tǒng)存在兩種干擾。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗(yàn)，通過歐共體CE認(rèn)證，國際ISO9000認(rèn)證，國內(nèi)3C認(rèn)證。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。 一是脈沖系統(tǒng)中的相互干擾。 二是外部干擾源對脈沖系統(tǒng)的干擾。

脈沖系統(tǒng)中的相互干擾主要是由共用電源和地線引起的。結(jié)果表明，一個(gè)脈沖的峰值干擾信號出現(xiàn)在與另一個(gè)脈沖相對應(yīng)的時(shí)刻。這是因?yàn)楦鞣N脈沖共享一組能量，在脈沖觸發(fā)器中，功率較大，功率波形較低。同時(shí)，在地線上產(chǎn)生強(qiáng)烈的脈沖電流，在地線上兩點(diǎn)之間造成干擾“毛刺”。如果地面處理不當(dāng)，干擾“毛刺”將通過地面?zhèn)鬟f到脈沖信號的另一個(gè)方向。造成這種干擾的另一個(gè)原因是印刷電路板或插槽上兩條平行信號線之間的電容耦合。

外部干擾源對脈沖系統(tǒng)的干擾主要有兩種。一是設(shè)備內(nèi)部信號，如脈沖控制柜內(nèi)的其他強(qiáng)電信號等。二是外部環(huán)境，如大電弧電流產(chǎn)生的強(qiáng)電磁場的劇烈變化、強(qiáng)交變電磁場、大功率整流電路移相控制產(chǎn)生的諧波、斷路器分合閘過程中產(chǎn)生的過電壓等。這些干擾主要通過信道傳輸和電磁耦合對脈沖系統(tǒng)產(chǎn)生干擾。